超宽禁带和宽禁带及先进化合物半导体材料与结构的椭偏和FTIR反射光谱学研究

REPORT BACKGROUND

以Si、Ge元素为代表的第一代半导体材料及以GaAs, GaP, InP等化合物为代表的第二代半导体材料，随着科学技术及相关产业的迅速发展，已不能满足现在电子产业的发展要求。以SiC、III-族氮化物、ZnO宽带隙半导体为代表的的第三代化合物半导体材料迅速发展起来。超宽禁带半导体氮化铝(AlN)和氧化镓(GaO)基材料, 亦称第四代半导体, 对其研究和探索正于热点和前沿。

2026年6月5日上午，美国肯尼索州立大学兼职教授, 中国台湾大学荣退教授、广西大学杰出教授冯哲川，受邀为武汉颐光科技有限公司的工程师们带来《超宽禁带和宽禁带及先进化合物半导体材料与结构的椭偏和FTIR反射光谱学研究》的主题报告。介绍冯教授团队多年来的应用椭偏光谱于AlN和GaO基与傅里叶变换红外(FTIR)反射光谱学于氮化镓和碳化硅外延材料以及II-VI和III-V半导体化合物和结构的研究和成果。

REPORT CONTENT

冯教授详细而亲切地介绍了团队多年来应用椭偏光谱对AlN和GaO薄膜材料的研究与成果。例：图1和图2分别展示了在不同晶面蓝宝石衬底上磁控溅射AlN薄膜样件，和蓝宝石衬底上生长Ga2O3薄膜样件的椭偏分析结果。

图1 不同晶面蓝宝石衬底上磁控溅射AlN薄膜样件

图2 蓝宝石衬底上生长Ga2O3薄膜样件

图3 蓝宝石衬底上生长GaN薄膜样件

图4 交流现场照片

GUEST INTRODUCTION

冯哲川教授系前广西大学物理科学与工程技术学院杰出教授(2015.3-2020.12)，中国台湾大学光电所暨电机系(2003.8-2015.1)退休教授，获得学士/硕士(1968/1981，北京大学)、博士(1987,匹兹堡大学-美国)，1988-2003工作于Emory大学(美)，新加坡国立大学，EMCORE公司，材料工程研究院(新加坡)，乔治亚理工学院。2021年在美国亚特兰大家中建立Science Exploring Lab(科学探索实验室)，2022年起加入Kennesaw State University 电机与计算机工程系担任兼职(adjunct)教授及进行教学和研究并指导研究生/大学生至今，今夏在华作2个月访问至7月中。

冯教授已出版了半导体领域的14本专书，12 本编辑及2本写作书“新兴半导体和氧化物的拉曼散射"，“先进半导体与量子结构的光致发光光谱学"，2024 及今年已出版；已发表过约 900 篇学术论文(超过500多篇SCI)并被引用9400 多次。从事于化合物和宽能隙半导体研究40 多年，成果多且杰出。2013年荣膺 SPIE(国际光学与光子工程学会) Fellow(会士)至今。他受邀担任过华中科技大学、南开大学、四川大学、南京工业大学、华南师范大学、天津师范大学的访问客座教授。

冯哲川教授在广西大学任职期间曾购买武汉颐光科技有限公司穆勒矩阵光谱椭偏仪，是颐光科技最早的客户之一， 10多年一直与颐光科技保持紧密联系，在椭偏测量表征及相关应用开展了诸多合作，发表了多篇有影响力的论文及成果。冯教授的莅临交流，让我们倍感荣幸，也深深钦佩到他做科研工作的严谨和投入。冯教授不仅是我们尊敬的用户，更是我们始终敬重的良师益友。

图5 广西大学光电子材料与探测技术实验室