报告背景REPORTBACKGROUND以Si、Ge元素为代表的第一代半导体材料及以GaAs,GaP,InP等化合物为代表的第二代半导体材料，随着科学技术及相关产业的迅速发展，已不能满足现在电子产业的发展要求。以SiC、III-族氮化物、ZnO宽带隙半导体为代表的的第三代化合物半导体材料迅速发展起来。超宽禁带半导体氮化铝(AlN)和氧化镓(GaO)基材料,亦称第四代半导体,对其研究和探索正于热点和前沿。2026年6月5日上午，美国肯尼索州立大学兼职教授,中国台湾大学荣退教授、...

Part1光学镀膜行业背景介绍光学镀膜是现代光学产业的核心支撑技术，它依托真空溅射、蒸发镀膜、原子层沉积（ALD）等精密工艺，在玻璃、树脂、晶体及显示面板等基材表面制备多层纳米级薄膜，通过精确调控膜层厚度、折射率与堆叠结构，实现增透、减反、高反、滤光、隔热、抗眩光等关键光学功能。其应用覆盖消费电子、车载光学、半导体、激光器件、AR/VR、航空航天及医疗影像等领域，既是现代光学系统稳定运行的基础，也是提升制造产品性能与附加值、推动产业升级的核心环节。因此，光学镀膜拥有重大的产业...

在材料科学与光学表征领域，光谱椭偏仪作为一种非侵入式光学测量设备，凭借独特的偏振光分析原理，成为薄膜厚度、光学常数及材料微结构表征的核心工具。它避开传统测量方法破坏样品、精度有限的短板，通过多波长偏振光与样品的相互作用，实现对微观尺度结构的精准探测，广泛应用于多个前沿领域。光谱椭偏仪的核心原理基于光的偏振特性与菲涅尔光学理论。仪器光源发出的光束经偏振调制后，形成特定偏振状态的光线，以固定角度入射至样品表面。当偏振光在样品表面反射或透射时，会因材料的光学性质与薄膜结构改变偏振状...

钙钛矿太阳能电池作为新一代光伏技术，具备低成本、可柔性、制备简单等优势，目前实验室光电转换效率（PCE）已突破26%，成为下一代太阳能电池的核心研究方向。电子传输层是电池器件中的重要组成部分，SnO₂为当前较优电子传输层材料之一，相较传统TiO₂，SnO₂具有高电子迁移率、能带匹配性好、低温制备（）、光稳定性佳等优势，可见光透过率80%，带隙3.6-4.5eV。图1.SnO₂电子传输层在钙钛矿电池中的结构定位SnO₂电子传输层的制备方法分为化学法和物理法两大类，主要包括旋涂法...

冯哲川教授团队发表了关于物理气相传输法（PhysicalVaporTransport，PVT）制备AlN晶体的深入研究。本研究巧妙地综合利用可变角度光谱椭偏仪、拉曼光谱与原子力显微镜等表征手段，揭示了c面与m面AlN晶体的本质特性差异。其中，椭偏仪作为核心表征手段，为评估晶体质量提供了关键、多维度的量化证据。研究成果以“Temperature-DependentRamanScatteringａndCorrelativeInvestigationofAlNCrystalsPre...

椭偏仪在半导体CMP工艺量测的应用一、半导体CMP工艺背景芯片制造过程大致可以分为顶层设计、晶圆制造、封装测试三大步骤，晶圆制造过程尤为复杂。晶圆制造主要包括7大流程，分别是扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长、化学机械抛光（Chemical-MechanicalPlanarization，简称CMP）、金属化。不同特性芯片，工艺制程和技术节点要求也不同，这些工艺制程并不是按某单一顺序执行，而是选择性地重复进行。例如，每一片晶圆在生产过程中可能都会经历几道甚至几十道的CMP工...